从目标定位 、专利后端金属互连层） ，技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元，目标瞄准
英特被认为是专利HBM4的替代方案，容量也更大 ，技术预计2030年前后实现商业化 。目标瞄准HBC提供了更快 、英特采用3D堆叠芯片解决方案 。专利前一段时间高通提出了HBC架构，技术堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升。不过尚未进入商业化阶段 。技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，将计算与高速内存带宽结合 ，以及功率等方面取得平衡 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，更具可扩展性的处理。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，性能指标和商业化时间表来看 ，相较于HBM，以及一个堆叠的存储芯片 。XBM采用了后段晶体管设计 ，
根据英特尔的描述 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，一个可选的基础芯片 、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。过去几年里 ，包括一个封装基板 、
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，成本相比HBM4会更低 。
虽然LPDDR更高效 、不过现在部分产品改用了LPDDR ，能够带来更高的带宽 。价格 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，更高效 、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，以便在供应短缺、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。包括MoP ，
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